收藏本站
ter be polled rather than waiting the t CHPE time to determine if the device has finished erasing. At
some point before the erase cycle completes, the WEL bit in the Status Register will be reset
back to the logical “0” state.
The device also incorporates an intelligent erasing algorithm that can detect when a byte loca-
tion fails to erase properly. If an erase error arises, it will be indicated by the EPE bit in the
Status Register.
Figure 8-4.
Chip Erase
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
OPCODE
SI
C
C
C
C
C
C
C
C
MSB
SO
9. Protection Commands and Features
HIGH-IMPEDANCE
9.1
Write Enable
The Write Enable command is used to set the Write Enable Latch (WEL) bit in the Status Regis-
ter to a logical “1” state. The WEL bit must be set before a program, erase, Protect Sector,
Unprotect Sector, or Write Status Register command can be executed. This makes the issuance
of these commands a two step process, thereby reducing the chances of a command being
accidentally or erroneously executed. If the WEL bit in the Status Register is not set prior to the
issuance of one of these commands, then the command will not be executed.
To issue the Write Enable command, the CS pin must first be asserted and the opcode of 06h
must be clocked into the device. No address bytes need to be clocked into the device, and any
data clocked in after the opcode will be ignored. When the CS pin is deasserted, the WEL bit in
the Status Register will be set to a logical “1”. The complete opcode must be clocked into the
device before the CS pin is deasserted, and the CS pin must be deasserted on an even byte
boundary (multiples of eight bits); otherwise, the device will abort the operation and the state of
the WEL bit will not change.
Figure 9-1.
Write Enable
CS
0
1
2
3
4
5
6
7
SCK
OPCODE
SI
0
0
0
0
0
1
1
0
MSB
SO
HIGH-IMPEDANCE
12
AT25DF321
3669B–DFLASH–6/09
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
AT25F1024AN-10SU-2.7 IC FLASH 1MBIT 33MHZ 8SOIC
AT25F2048N-10SU-2.7 IC FLASH 2MBIT 33MHZ 8SOIC
AT25F4096W-10SU-2.7 IC FLASH 4MBIT 33MHZ 8SOIC
AT25HP512W2-10SI-2.7 SL383 IC EEPROM 512KBIT 10MHZ 16SOIC
AT26DF081A-SSU IC FLASH 8MBIT 70MHZ 8SOIC
AT26DF161-SU IC FLASH 16MBIT 66MHZ 8SOIC
AT26DF161A-MU IC FLASH 16MBIT 70MHZ 8QFN
AT26DF321-SU IC FLASH 32MBIT 66MHZ 8SOIC
相关代理商/技术参数
AT25DF512C-MAHNGU-T 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:5,000
AT25DF512C-MAHNGU-Y 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:托盘 零件状态:停产 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:490
AT25DF512C-MAHN-T 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:有效 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:1
AT25DF512C-MAHN-Y 功能描述:IC FLASH 512KB 8UDFN 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:托盘 零件状态:停产 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-UFDFN 裸露焊盘 供应商器件封装:8-UDFN（2x3） 标准包装:490
AT25DF512C-SSHN-B 功能描述:IC FLASH 512KB 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:98
AT25DF512C-SSHNGU-B 功能描述:IC FLASH 512KB 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:管件 零件状态:有效 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:98
AT25DF512C-SSHNGU-T 功能描述:IC FLASH 512KB 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:带卷（TR） 零件状态:有效 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:4,000
AT25DF512C-SSHN-T 功能描述:IC FLASH 512KB 8SOIC 制造商:adesto technologies 系列:- 包装:剪切带（CT） 零件状态:停产 格式 - 存储器:闪存 存储器类型:FLASH 存储容量:512K（64K x 8） 速度:85MHz 接口:SPI 串行 电压 - 电源:1.65 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC） 封装/外壳:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 供应商器件封装:8-SOIC 标准包装:1